Събота, 7 Февруари 2009

Altech Team

Версия за печат

Новата 4Gbit DDR3 памет е проектирана да е по-икономична и работи на 1.35v, което е 20% подобрение спрямо 1.5v модулите. Максималната скорост е изчислена да бъде DDR3 1600MHz. В конфигурации с 16GB модули, новата памет може да консумира 40% по-малко енергия в сравнение с 2GB DDR3 заради колямата плътност и защото използва 32 чипа вместо 64.
Новата памет може да бъде произвеждана и като 8GB модули за работни станции и настолни компютри, и 8GB малки модули (SODIMM) за мобилни компютри. Използвайки технология за двойна подложка, Samsung може да създаде модули с големина до 32GB, което е два пъти по-голям капацитет в сравнение с това, което може да се направи с 2GB DDR3 чиповете.

Източник: Fudzilla

( 0 гласа ) Напишете първи мнение!